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华中科技大学设计并成功构建了一种超高功率性能的新型锗硅光电探测器

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华中科技大学余宇教授领导的研究团队,设计并成功构建了一种超高功率的锗硅光电探测器(Ge-Si PD),该探测器实现了471.4 mA的高饱和光电流和1.12 A W−1的卓越响应度,通过增强光功率吸收和全面促进光生载流子传输,实现了卓越的高功率性能。

 

在概念验证演示中,该研究实现了无需放大器的无线通信,由所提出的PD驱动,实现了 20 m·Gb s−1 的距离-容量乘积(Range-Capacity Product),5 GHz时具有32.3 dBm的三阶输出互调功率,以及实时视频流传输。这项工作为片上超高功率光探测提供了一种有前途的解决方案,并代表了向高质量光纤无线接入网络迈进的重大进展。

2025年1月17日 08:20
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