PIXIS-XO 软X射线相机
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PI的X射线相机使用科学级，二维CCD探测阵列。每一个产品都融入了超低噪声电子电路，多读出口，多增益等非常优秀的工艺。高速读出的速度可以方便准直，聚焦，高速采集等操作；低速读出有利于低噪声精准的数据采集。 多增益可以在低噪声的同时提升图像的信噪比。
我们的X射线相机具备16位的数模转换电路，工业标准的接口，方便搭建实践平台和OEM扩展。PIXIS-XO 软X射线相机
适用于紫外，深紫外的X射线相机
高敏感度，热电制冷的PIXIS-XO相机有多款不同的深耗尽式和背照式CCD芯片，用于直接探测 ~30 eV and ~20 KeV 能量范围的X射线。 可旋转型的ConFlat 法兰的高真空设计，可软件选择的增益和读出速度，使得这款相机非常适合各种高真空的应用。
PIXIS-XO具有以下优点:
• 多样的芯片选择（1340 x 100 to 2048 x 2048 pixel arrays; 13 x 13 µm to 20 x 20 µm pixel sizes）
• 可探测范围：<30 eV to ~20 keV
• 可旋转的CF法兰接口
• 灵活的双读出放大器
• 高速USB2.0接口
• LightField可实现全面的控制
产品综述
探测到更多的X射线光子!
PIXIS-XO相机致力于提供非常高的直接探测性能，广泛用于X射线谱仪，X射线成像，X射线显微镜，X射线等离子诊断，深紫外刻蚀技术。
伴随着众多可选的CCD格式，100%覆盖率，低噪声电子电路，-70℃ 到 -90℃的热电制冷等，PIXIS-XO为用户提供了方便快捷的实验操作和OEM条件。
产品特点
可探测范围：<30 eV to ~20 keV
适合各类应用
高速USB2.0数据接口:
任何电脑直接连接，无需额外硬件
即插即用
真正的16位数据传输能力，最高可达2MHz读出速度
可旋转的CF法兰盘:
方便准直X射线光路，提高成像和成谱质量。
灵活的双读出放大器:
灵活设置，优化实验
高敏度ADC提供最低的读出噪声
大容量ADC提供最高的动态范围
最好的线性度
LightField的64-位操作平台:
直观易上手的用户界面设计
自动背景扣除，平场纠正和误差检测
PICAM（64）位通用程序语言，方便的程序修改与编译
型号规格
PIXIS-XO Direct Detection X-Ray相机型号比较和数据表
Model
Imaging Array
Pixel Size
Sensor Type
1340 x 100
20 x 20 µm
back-illuminated
1340 x 100
20 x 20 µm
back-illuminated, deep-depletion
1340 x 400
20 x 20 µm
back-illuminated
1340 x 400
20 x 20 µm
back-illuminated, deep-depletion
1024 x 1024
13 x 13 µm
back-illuminated
1024 x 1024
13 x 13 µm
back-illuminated, deep-depletion
1340 x 1300
20 x 20 µm
back-illuminated
2048 x 512
13.5 x 13.5 µm
back-illuminated
2048 x 2048
13.5 x 13.5 µm
back-illuminated
Quantum Efficiency of PIXIS-XO direct detection cameras*
*Please refer to datasheets for available CCD types in each model.
产品应用
X-Ray Plasma Diagnostics
Hot and dense plasmas are of enormous interest in basic physics research because of the multitude of interesting phenomena that arise from them.
Soft X-Ray Microscopy
Soft X-ray Microscopy is used for imaging and researching the elemental composition and structure of biological samples and more.
EUV Lithography
EUV lithography is gaining popularity because it retains the look and feel of the traditional optical lithography process (i.e., utilizes the 13.5 nm wavelength) and uses the same basic design tools.
X-ray absorption spectroscopy is an element-specific probe of the local structure of elements in a material.
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