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霍尔效应传感器(磁场测量传感器)

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    霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

     

    霍尔效应传感器(磁场测量传感器)

    Figure 1. sensor on test assembly

     

    产品特点:

    •   超高分辨率

    •   超低噪音性能

    •   可在极低温条件下使用

    •   大动态范围

    •   高线性

    •   超低功耗运行

     

     

    简述:

    利用石墨烯固有的低噪声特性,无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应,并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。

     

    应用包括:

    •   精密磁场测量

    •   场梯度和边缘场的精确映射

    •    高精度位置,旋转和速度感应

    •   低温下的超低功率场测量

     

    优点:

    可满足各种应用需求。可以利用的优点包括

    •   可以在 < 1.8 K - 353 K的极端温度下运行

    •   在大磁场范围(> 9 T)内ppb磁场变化的分辨率

    •   低至 10 nA的工作电流,节省了功率,仅产生5 pW的散热

    •   平面霍尔效应可忽略不计,有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向

     

    需要特定要求,请联系我们info<info@spl-tech.cn>

     

    性能特点:

    Parameter

    Symbol

    Value (typical)

    Unit

    Notes

    Maximum operating temperature range

    T

    1.8 to 353

    K

    Performance guaranteed within this range. Operation <1.8 K is possible

    Measurable field range

    B

    >+/- 9

    T

    See Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearity

    Open Circuit Sensitivity

    S

    1100

    V/AT

    @ room temperature. see Fig 3 for change with temperature

    Open Circuit Hall Voltage

    VH

    110

    mV

    I=IN and B=1 T, increases with reducing temperature

     

     

    Spectral Noise Density

     

     

    SDT

    7

     

             

    µ𝑇√𝐻𝑧

    10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.7

    1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.3

    10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.07

    100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

     

    Resolution, based on SDT on a 1 T field

     

    RSND

    7

     

    ppm

    10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.7

    1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.3

    10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    0.07

    100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    RMS noise

    T2

    40

    T

    0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    28

    10 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

    Linearity of Hall Voltage

    % of full scale

    FL

    <0.5

    %

    -1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T range

    Corrected Linearity

     

    <0.01

    %

    -1 to 1 T, after 3rd order correction

    Planar Hall Effect

    HPL

    <10

    µT

    At I=IN , 1 T

    Nominal Supply Current

    IN

    0.1

    mA

    Can be operated down to I=10 nA

    Maximum Supply Current

    Imax

    1

    mA

     

    Supply Side Internal Resistance

    RIN

    22

    kΩ

    B=0 T

    Hall Side Internal Resistance

    ROUT

    22

    kΩ

    B=0 T

     

    Offset Voltage

     

    VR0

    8

    mV

    Typical offset voltage at I=IN and B=0 T

    0.6

    mV

    Min offset voltage at I=IN and B=0 T

    34

    mV

    Max offset voltage at I=IN and B=0 T

    Temperature Coefficient of Sensitivity

    TCS

    -4.7

    V/AT/K

    @ room temperature, IN

     

     

    高场和低温性能

    图片1

                            Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T

     

    图片2

    Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T.

     

     

    封装信息

    有效面积:1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。

     

    Pin

    Notes

    VIN+

    1 or 11

    Input voltage can be supplied with either

    polarity

    VIN-

    11 or 1

    VH+

    6 or 16

    Hall voltage polarity will

    depend on VIN polarity and field polarity

    VH-

    16 or 6

     

     

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霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

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